سامسونج تقود بالفعل سوق رقاقات الذاكرة من نوع NAND، ولكن يبدو أن الشركة الكورية الجنوبية تستعد للتقدم بخطوة أخرى إلى الأمام على المنافسين. في الواقع، لقد صدر اليوم تقرير جديد من كوريا الجنوبية يفيد بأن شركة سامسونج تعتزم إنتاج رقاقات جديدة للذاكرة من نوع Z-NAND. ومن المتوقع أن تبدأ عملية الإنتاج الضخم لهذا النوع الجديد من رقاقات الذاكرة في العام المقبل.
ووفقا للتقرير، فإن رقاقات الذاكرة الجديدة Z-NAND دخلت بالفعل حاليا مرحلة الإنتاج التجريبي علما أن شركة سامسونج بدأت مؤخرا فقط بمناقشة العروض مع العملاء المحتملين.
وتجدر الإشارة إلى أن رقاقات الذاكرة Z-NAND ستكون أصغر من حيث المساحة لأنها تستند على Single Level Cell. يتم تخصيص بت واحد لكل ترانزستور. وعلى الرغم من صغر الحجم، فإن رقاقات الذاكرة Z-NAND ستكون أسرع وأكثر كفاءة في إستهلاك الطاقة. ويقال بأن الذواكر التخزينية Z-SSD التي تستخدم رقاقات الذاكرة Z-NAND ستمتاز بسرعة قراءة أعلى بنحو سبع مرات بالمقارنة مع الذواكر التخزينية SSD الحالية.
ويقال بأن شركة سامسونج تستعد لإنتاج الذواكر التخزينية Z-SSD من أجل التنافس مع الذواكر التخزينية التي تعتمد على تكنولوجيا 3D Xpoint SSD من شركة Intel. هذا هو الجيل القادم من الذواكر التخزينية التابعة لشركة Intel، فهي تعد بسرعة أكبر ومتانة أفضل بالمقارنة مع الحلول التخزينية الحالية التي تعتمد على تكنولوجيا NAND. وللآسف، شركة سامسونج لم تعلق بعد على خططها للبدء بإنتاج الذواكر التخزينية Z-SSD.
The post سامسونج تتطلع للبدء بإنتاج الذواكر التخزينية Z-SSD في العام المقبل appeared first on إلكتروني.
المصدر إلكتروني
0 التعليقات:
إرسال تعليق