سامسونج هي واحدة من الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، ولذلك خارطة الطريق التي أعلنت عنها الشركة اليوم مهمة جدًا لمجموعة من الصناعات. وتسعى الشركة لتوفير تكنولوجيا التصنيع 4 نانومتر للأجهزة الذكية ونوع جديد من عملية التصنيع 18 نانومتر لأجهزة IoT.
وقالت شركة سامسونج خلال المنتدى السنوي Samsung Foundry Forum 2017 بأن عملية التصنيع 18nm LPP ستقدم الحل الأكثر تنافسية قبل الإنتقال إلى EUV والتي هي إختصار لعبارة Extreme Ultra Violet. عملية التصنيع 7 نانومتر ستكون أول من يستعين بحل الطباعة EUV مع العلم بأنه تم تطويرها بالفعل بالتعاون مع الشركة الهولندية ASML.
نشر عملية التصنيع 7 نانومتر سيكون أمرًا رائعا للشركات المصنعة لأشباه الموصلات لأنه من شأن ذلك أن يكسر حواجز قانون مور. وهذا الإبتكار يمهد الطريق لتكنولوجيا 6LPP و 5LPP و 4LPP. وتجدر الإشارة إلى أن 4LPP ستكون أول تنفيذ للجيل المقبل من معمارية Multi-Bridge Channel FET. وسوف تتغلب هذه التكنولوجيا الجديدة على التحجيم وقيود الأداء التي تفرضها معمارية FinFET الحالية.
وأعلنت شركة سامسونج أيضا أنها ستعمل على تطوير عملية التصنيع 18nm FD-SOI والتي ستستخدم في أجهزة Internet Of Things والمعروفة إختصارا بإسم IoT. وهناك وعود بأنها ستكون أفضل من عملية التصنيع 28nm FDS الحالية بحيث من المفترض أن تكون أفضل في كفاءة إستهلاك الطاقة، والمساحة، والأداء.
The post سامسونج تعلن عن خارطة الطريق التي ستستلكها للوصول لعلمية التصنيع 4 نانومتر appeared first on إلكتروني.
المصدر إلكتروني
0 التعليقات:
إرسال تعليق